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SiC MOSFET   

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 SCT3080KLGC11
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-SCT3080KLGC11-0
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
SCT3080KL Series 1200 V 31 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
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参数信息 商品简介 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 SiC MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 1200V
连续漏极电流Id 31A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 5mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 18V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 785pF @ 800V
栅极电压Vgs +22V,-4V
Pd-功率耗散(Max) 165W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 104mΩ@10A,18V
工作温度 175°C(TJ)
封装/外壳 TO-247-3
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商品简介

低接通电阻,快速切换速度,快速反向恢复,易于并行且易于驱动,无铅引线电镀,符合 RoHS 标准

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库存 :  450

价格梯度 单价(含税)
2 + ¥122.9902
5 + ¥77.6271
10 + ¥71.9543

整包(请按30的倍数下单)

30 + ¥68.1692
50 + ¥67.4122
60 + ¥67.2302
100 + ¥66.8469
200 + ¥66.569
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:30 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:2 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2023 年

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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥122.9902 

阶梯数 价格
2: ¥122.9902
5: ¥77.6271
10: ¥71.9543
30: ¥68.1692
50: ¥67.4122
60: ¥67.2302
100: ¥66.8469
200: ¥66.569
450 当前型号
LSIC1MO120E0080 Littelfuse  数据手册 IGBT晶体管

¥215.6232 

阶梯数 价格
1: ¥215.6232
3: ¥177.8206
4: ¥173.0965
5: ¥170.2601
9: ¥165.2198
10: ¥164.5874
20: ¥161.751
30: ¥160.8023
450 对比
LSIC1MO120E0080 Littelfuse  数据手册 IGBT晶体管

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