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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| 系列 | SCT | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 650V | |
| 连续漏极电流Id | 93A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 18.2mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 133nC @ 18V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2208pF @ 500V | |
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 339W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28.6mΩ@36A,18V | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1 + | ￥284.099 |
| 3 + | ￥246.2965 |
| 4 + | ￥241.5724 |
| 5 + | ￥238.736 |
| 9 + | ￥233.6956 |
| 10 + | ￥233.0632 |
| 20 + | ￥230.2268 |
| 30 + | ￥229.2781 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产年份 : 2024 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV3Q12035T4Z | 13,560 |
| CRXQ25M065G1 | 673 |
| IV2Q06040T4Z | 548 |
| IV2Q12030T4Z | 509 |
| IV2Q06025T4Z | 420 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3022ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥284.099
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135 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R031CFD7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IPW60R031CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R031CFD7XKSA1_31mΩ 600V 63A TO-247 -55°C~150°C N-Channel 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
