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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-247-4L | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34mΩ@ 29A，18V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 176W | |
| 工作温度 | -40℃~175℃ | |
| 栅极电压Vgs | +21V,-4V | |
| 漏源极电压Vds | 750V | |
| 连续漏极电流Id | 56A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 2 + | ￥130.5602 |
| 5 + | ￥85.1972 |
| 10 + | ￥79.5244 |
整包（请按30的倍数下单） |
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| 30 + | ￥75.7393 |
| 50 + | ￥74.9823 |
| 60 + | ￥74.8003 |
| 100 + | ￥74.417 |
| 200 + | ￥74.1391 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2024 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV3Q12035T4Z | 13,560 |
| CRXQ25M065G1 | 673 |
| IV2Q06040T4Z | 548 |
| IV2Q12030T4Z | 509 |
| IV2Q06025T4Z | 420 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT4026DRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥130.5602
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443 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRHRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥132.7834
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRHRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥132.7834
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405 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥130.5602
|
400 | 对比 | ||||||||||||||||||
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|
SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥130.5602
|
153 | 对比 | ||||||||||||||||||
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|
SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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