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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 5mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 18V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 571pF @ 500V | |
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 134W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 104mΩ@10A,18V | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247N | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 650V | |
| 连续漏极电流Id | 30A |
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV3Q12035T4Z | 13,560 |
| CRXQ25M065G1 | 673 |
| IV2Q06040T4Z | 548 |
| IV2Q12030T4Z | 509 |
| IV2Q06025T4Z | 420 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥105.3873
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450 | 当前型号 | ||||||||||
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STW33N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPW60R125CPFKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R125CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPW60R125CP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R125CPFKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 25A 110mΩ 20V 208W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
