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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 5mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 18V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 571pF @ 500V | |
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 134W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 104mΩ@10A,18V | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247N | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 650V | |
| 连续漏极电流Id | 30A |
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 2 + | ￥119.5692 |
| 5 + | ￥68.0926 |
| 10 + | ￥61.6532 |
整包（请按30的倍数下单） |
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| 30 + | ￥57.3699 |
| 50 + | ￥56.5075 |
| 60 + | ￥56.2966 |
| 100 + | ￥55.8654 |
| 200 + | ￥55.5396 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量： 2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV1Q12080T4Z | 11,844 |
| IV1Q06040T3 | 3,162 |
| IV1Q12050T3 | 1,834 |
| IV3Q12035T4Z | 677 |
| IV2Q12080T4Z | 563 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A |
￥119.5692
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450 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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STW33N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IPW60R125CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A TO-247 N-Channel 600V 125mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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