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功率MOSFET   ±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A

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制造商编号 ZXMN6A25KTC
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-ZXMN6A25KTC-0
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 ZXMN
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
配置 Single
下降时间 10.6 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
上升时间 4 ns
通道数量 1 Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1063pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2.11W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 DPAK
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 10.7A
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40 + ¥1.6038
100 + ¥1.2276
1,250 + ¥1.0395

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ZXMN6A25KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A

¥1.6038 

阶梯数 价格
40: ¥1.6038
100: ¥1.2276
1,250: ¥1.0395
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阶梯数 价格
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100: ¥1.221
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阶梯数 价格
30: ¥5.5483
50: ¥3.8426
53 对比
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