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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | QFET® | |
| 连续漏极电流Id | 55A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2730pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),155W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 26m Ohms@27.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 55A | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2730pF @ 25V | |
| 功率 | 3.75W(Ta),155W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 26 毫欧 @ 27.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FQB55N10TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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AOB2910L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V |
￥5.102
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800 | 对比 | ||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK9628-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK9628-100A_SOT404 N-Channel 166W 175℃ 1.5V 100V 49A |
￥15.8541
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0 | 对比 | ||||||||||
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AUIRF540ZSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 36A 26.5mΩ 20V 92W N-Channel TO-263-3 100V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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