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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 650V | |
| 连续漏极电流Id | 21A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 3.33mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 18V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 460pF @ 500V | |
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 103W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 156mΩ@6.7A,18V | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV1Q06040T3 | 1,755 |
| CRXQ25M065G1 | 1,127 |
| IMZA65R027M1H | 695 |
| IV2Q06025T4Z | 495 |
| IV2Q06040T4Z | 446 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3120ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
暂无价格 | 900 | 当前型号 |
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FCH170N60 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22A(Tc) ±20V 227W(Tc) 170m Ohms@11A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 22A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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TK20N60W5,S1VF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 165W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 600 V 20A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW60R165CP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R165CPFKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 21A 165mΩ 20V 192W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOK27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW60R165CPFKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R165CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
