| 制造商编号 | NGW30T60M3DFQ |
|---|---|
| 商品别名 | NGW30T60M3DF |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-NGW30T60M3DFQ |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
NGW30T60M3DF/SOT429-2/TO247-3L
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT晶体管 | |
| 封装/外壳 | SOT429-2 | |
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
| 反向恢复时间(trr) | 110 ns | |
| 栅极电荷 | 130 nC | |
| 功率-最大值 | 285W | |
| 25°C时Td(开/关)值 | 60ns/180ns | |
| 开关能量 | 700uJ(开),400uJ(关) | |
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 90 A | |
| 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值) | 1.7V @ 15V,30A | |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600 V | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 75 A | |
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | |
| 测试条件 | 400V,30A,10 欧姆,15V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：7 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE60TD65BT | 7,200 |
| NCE80TD65BT | 4,800 |
| NCE40TD65BT | 2,400 |
| SGT75T65SDM1P7 | 1,611 |
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