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功率MOSFET   SOT-223 6.7x3.7x1.7mm 6.7mm

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 IRFM120ATF
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A-IRFM120ATF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 IRFM
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@1.15A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-223
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 2.3A
连续漏极电流Id 2.3 A
漏源极电压Vds 100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs 200 m0hms
最小栅阈值电压 2V
栅极电压Vgs -20 V、+20 V
晶体管配置
引脚数目 3+Tab
FET类型 增强
类别 功率 MOSFET
功率 2.4W
高度 1.7mm
封装/外壳 6.7 x 3.7 x 1.7mm
宽度 3.7mm
最低工作温度 -55 °C
晶体管材料 Si
漏源极电压Vds 370 pF @ 25 V
典型关断延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 14 ns
长度 6.7mm
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1 Ohms
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