| 制造商编号 | IPW65R080CFDA |
|---|---|
| 商品别名 | IPW65R080CFDAFKSA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A32-IPW65R080CFDA |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
漏源极电压Vds：650V 连续漏极电流Id：43.3A Rds On(Max)@Id,Vgs：72mΩ 栅极电压Vgs：20V Pd-功率耗散(Max)：391W
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 650V | |
| 连续漏极电流Id | 43.3A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72mΩ | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| Qg-栅极电荷 | 161nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 391W | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 系列 | CoolMOSCFDA | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 下降时间 | 6ns | |
| 上升时间 | 18ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 85ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20ns | |
| 工作温度 | -40°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1+ | ￥68.2028 |
| 10+ | ￥65.5796 |
| 50+ | ￥63.0572 |
| 100+ | ￥60.6319 |
整包（请按240的倍数下单） |
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| 240+ | ￥58.2999 |
| 480+ | ￥57.134 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：240
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 2332
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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