| 制造商编号 | DMG6602SVT-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A-DMG6602SVT-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 系列 | DMG | |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns | |
| 上升时间 | 5 ns | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 通道数量 | 2 Channel | |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC | |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns | |
| 正向跨导-最小值 | 4 S | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@3.1A,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 400pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 840mW | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TSOT-23 | |
| FET类型 | N+P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 3.4A,2.8A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002LT1G | 30,000 |
| PMZB200UNEYL | 15,500 |
| S-L2N7002SLT1G | 12,000 |
| 2N7002HR | 12,000 |
| LMN2500N3T5G | 10,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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AO6601 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C |
￥0.7876
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119 | 对比 | ||||
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
￥1.683
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94 | 对比 | ||||
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
￥0.6829
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1 | 对比 | ||||
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AO6602L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N+P-Channel 75 mΩ @ 3.1A,10V 6-TSOP 1.15W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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