| 制造商编号 | BSZ150N10LS3 G |
|---|---|
| 商品别名 | BSZ150N10LS3GATMA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A33-BSZ150N10LS3 G-0 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：40A Rds On(Max)@Id,Vgs：15mΩ 栅极电压Vgs：10V Pd-功率耗散(Max)：63W
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 40A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ | |
| 栅极电压Vgs | 10V | |
| Qg-栅极电荷 | 26nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 63W | |
| 高度 | 1.10mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 系列 | OptiMOS3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 正向跨导 - 最小值 | 21S | |
| 下降时间 | 3.9ns | |
| 上升时间 | 4.6ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 23.4ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.1ns | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 20+ | ￥7.8576 |
| 50+ | ￥7.5701 |
| 100+ | ￥7.3785 |
| 500+ | ￥7.2827 |
| 1,000+ | ￥7.1868 |
| 2,000+ | ￥6.9952 |
| 4,000+ | ￥6.8994 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产年份 : 2023 年
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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