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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | IGBT晶体管 | |
25°C时Td(开/关)值 | 30ns/70ns | |
IGBT类型 | 沟槽型场截止 | |
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,15A | |
功率 | 267 W | |
反向恢复时间Trr | 157 ns | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
开关能量 | 740uJ(开),600uJ(关) | |
栅极电荷 | 41 nC | |
测试条件 | 600V,15A,10 欧姆,15V | |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200 V | |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30 A | |
电流-集电极脉冲(Icm) | 45 A | |
输入类型 | 标准 | |
产品特性 | 车规 |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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2 + | ¥76.3526 |
5 + | ¥39.5849 |
10 + | ¥33.9122 |
整包(请按30的倍数下单) |
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30 + | ¥30.1271 |
50 + | ¥29.3701 |
60 + | ¥29.188 |
100 + | ¥28.8047 |
200 + | ¥28.5173 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3周-4周 |
起订量:2 | 倍数:1 |
生产年份 : 2023 年
高精度电流检测,具备-14V~+80V的宽共模电压范围,可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规 |
¥76.3526
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450 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规 |
¥62.8989
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) |
¥57.6574
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规 |
¥62.8989
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440 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) |
¥57.6574
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440 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS30TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) |
¥69.9899
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10 | 对比 |