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IGBT晶体管   267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RGS30TSX2DHRC11
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RGS30TSX2DHRC11
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
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参数 参数值 操作
商品目录 IGBT晶体管
25°C时Td(开/关)值 30ns/70ns
IGBT类型 沟槽型场截止
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,15A
功率 267 W
反向恢复时间Trr 157 ns
封装/外壳 TO-247-3
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 740uJ(开),600uJ(关)
栅极电荷 41 nC
测试条件 600V,15A,10 欧姆,15V
电压-集射极击穿(最大值) 1200 V
电流-集电极(Ic)(最大值) 30 A
电流-集电极脉冲(Icm) 45 A
输入类型 标准
产品特性 车规
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库存 :  450

价格梯度 单价(含税)
2 + ¥76.3526
5 + ¥39.5849
10 + ¥33.9122

整包(请按30的倍数下单)

30 + ¥30.1271
50 + ¥29.3701
60 + ¥29.188
100 + ¥28.8047
200 + ¥28.5173
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:30 
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交期: 3周-4周
起订量:2 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2023 年

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGS30TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规

¥76.3526 

阶梯数 价格
2: ¥76.3526
5: ¥39.5849
10: ¥33.9122
30: ¥30.1271
50: ¥29.3701
60: ¥29.188
100: ¥28.8047
200: ¥28.5173
450 当前型号
RGS30TSX2HRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规

¥62.8989 

阶梯数 价格
3: ¥62.8989
5: ¥34.6021
10: ¥28.9293
30: ¥25.1538
50: ¥24.3968
100: ¥23.8315
200: ¥23.544
300: ¥23.4482
450 对比
RGS30TSX2GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

¥57.6574 

阶梯数 价格
3: ¥57.6574
5: ¥32.6665
10: ¥26.9937
30: ¥23.2182
50: ¥22.4612
100: ¥21.8863
200: ¥21.6084
300: ¥21.5125
450 对比
RGS30TSX2HRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规

¥62.8989 

阶梯数 价格
3: ¥62.8989
5: ¥34.6021
10: ¥28.9293
30: ¥25.1538
50: ¥24.3968
100: ¥23.8315
200: ¥23.544
300: ¥23.4482
440 对比
RGS30TSX2GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

¥57.6574 

阶梯数 价格
3: ¥57.6574
5: ¥32.6665
10: ¥26.9937
30: ¥23.2182
50: ¥22.4612
100: ¥21.8863
200: ¥21.6084
300: ¥21.5125
440 对比
RGS30TSX2DGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

267 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

¥69.9899 

阶梯数 价格
3: ¥69.9899
5: ¥37.2277
10: ¥31.5549
10 对比
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