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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 1.0x0.6 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| ESD Diode | Yes | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| 连续漏极电流Id | -0.7A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.9W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 710mΩ@-400mA,-4.5V | |
| Rds On(Max)@2.5V | 930mΩ | |
| Rds On(Max)@1.8V | 1250mΩ | |
| VGS(th) | -1.1 | |
| Ciss(pF) | 50 | |
| Coss(pF) | 12 | |
| Crss(pF) | 7.5 | |
| Qg*(nC) | 0.75 | |
| Qgd(nC) | 0.2 | |
| Td(on)(ns) | 6 | |
| Td(off)(ns) | 22 Ohms | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：10,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002LT1G | 90,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 60,000 |
| S-L2N7002SLT1G | 54,000 |
| PMZ600UNEYL | 15,000 |
| LMN2500N3T5G | 10,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AON1605 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
DFN 1.0x0.6 P-Channel -20V ±8V -0.7A 0.9W 710mΩ@-400mA,-4.5V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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PMZB670UPE,315 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMZB670UPE_SOT883B P-Channel 0.36W 150℃ 8V,-0.9V -20V -0.68A |
￥0.4316
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7,927 | 对比 | ||||||||
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PMZB670UPE,315 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMZB670UPE_SOT883B P-Channel 0.36W 150℃ 8V,-0.9V -20V -0.68A |
￥0.6724
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0 | 对比 | ||||||||
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AON1605_001 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
700mA(Ta) P-Channel ±8V 710 mΩ @ 400mA,4.5V 3-DFN(1.0 x 0.60) 900mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
