参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | -60V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | -12A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 115mΩ@12A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3天-5天
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| 起订量： 1 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥5.64
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8,493 | 当前型号 | ||||||||||
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 27W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
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IRFR5505TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR9343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SPD18P06P G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 18.6A 130mΩ 10V 80W P-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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