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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SC70-3 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| ESD Diode | Yes | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 栅极电压Vgs | 12V | |
| 连续漏极电流Id | -1.4A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.35W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 113mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 135mΩ | |
| Rds On(Max)@2.5V | 180mΩ | |
| VGS(th) | -1.2 | |
| Ciss(pF) | 325 | |
| Coss(pF) | 63 | |
| Crss(pF) | 37 | |
| Qg*(nC) | 3.2 | |
| Qgd(nC) | 0.9 | |
| Td(on)(ns) | 11 | |
| Td(off)(ns) | 22 Ohms | |
| Trr(ns) | 6.1 | |
| Qrr(nC) | 1.4 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,200 |
| NX138AKR | 30,000 |
| PMV20ENR | 12,000 |
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