参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 18A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.5mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 7.5mΩ | |
| VGS(th) | 2.5 | |
| Ciss(pF) | 6060 | |
| Coss(pF) | 638 | |
| Crss(pF) | 355 | |
| Qg*(nC) | 48 | |
| Qgd(nC) | 15 | |
| Td(on)(ns) | 12 | |
| Td(off)(ns) | 51.5 | |
| Trr(ns) | 33.5 | |
| Qrr(nC) | 22 Ohms |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 16W |
| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7832PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7832TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF8736PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7834TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.5mΩ@19A,10V N-Channel 30V 19A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDS8870 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.2m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 18A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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