| 制造商编号 | PMDPB55XP,115 |
|---|---|
| 商品别名 | PMDPB55XP |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PMDPB55XP,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT1118 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 70mΩ@3.4A,4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.49W | |
| 工作温度 | 150°C | |
| 栅极电压Vgs | 12V,-0.65V | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 输入电容 | 785pF | |
| 输出电容 | 80pF | |
| 连续漏极电流Id | -4.5A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3天-15天
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| 起订量： 20 | 倍数：1 |
生产日期 : 25+
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| 2N7002BK，215 | 201,600 |
| BSS84AK,215 | 129,010 |
| LBSS8402DW1T1G | 120,000 |
| S-L2N7002SLT1G | 78,000 |
| LN4812LT1G | 75,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMDPB55XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 0.49W 150°C 12V,-0.65V -20V -4.5A |
￥2.519
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1,650 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
￥1.463
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2,952 | 对比 | ||||||||||
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DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
70mΩ@2.8A,4.5V 1.4W -55°C~150°C(TJ) DFN P-Channel 20V 3.8A |
￥1.0252
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83 | 对比 | ||||||||||
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DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AON2803 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2 P-Channel -20V ±8V -3.8A 1.5W 70mΩ@-3.8A,-4.5V -55°C~150°C |
￥1.45
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0 | 对比 | ||||||||||
|
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DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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