| 制造商编号 | MMBZ12VAL,215 |
|---|---|
| 商品别名 | MMBZ12VAL |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-MMBZ12VAL,215 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MMBZ10VAL Series 110 pF Uni-Directional Double ESD Protection Diode - SOT-23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | ESD抑制器 | |
| 封装/外壳 | SOT23 | |
| 反向击穿电压Vbr | 11.4V | |
| 钳位电压Vc | 17V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 反向工作电压Vrwm | 8.5V | |
| 峰值脉冲电流Ipp | 2.35A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：90 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| S-LR2105LT1G | 171,000 |
| LESD11LL5.0CT5G | 90,000 |
| S-LRC1043-04DT1G | 72,000 |
| LGSOT12CLT1G | 39,000 |
| LESD8LL3.3CT5G | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MMBZ12VAL,215 | Nexperia | 数据手册 | ESD抑制器 |
MMBZ12VAL_SOT23 11.4V 17V -55°C~150°C 8.5V 2.35A |
￥0.5915
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3,006 | 当前型号 | ||||||||||
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MMBZ12VDL,215 | Nexperia | 数据手册 | TVS二极管 |
MMBZ12VDL_SOT23 11.4V,12.6V 17V 150℃ 车规 |
￥0.3759
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0 | 对比 |
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