| 制造商编号 | PMV213SN,215 |
|---|---|
| 商品别名 | PMV213SN |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PMV213SN,215 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
N-Channel 100 V 250 mOhm 2 W 7 nC µTrenchMOS Standard Level FET - SOT-23
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT23 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250mΩ@500mA,10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 280mW | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 1.9A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
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交期： 3天-15天 |
| 起订量： 60 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LP2301LT1G | 330,000 |
| CRSM013N06N4Z | 160,000 |
| LP2305DSLT1G | 48,000 |
| PJA3461-AU_R1_000A1 | 24,000 |
| S-LP3407LT1G | 15,015 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV213SN,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A |
暂无价格 | 98 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 800mA 806mW 700mΩ 100V 2V |
￥1.0252
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23,914 | 对比 | ||||||||||
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BSS123TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 360mW(Ta) 6Ω@100mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 0.17A |
￥0.5764
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9,176 | 对比 | ||||||||||
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel |
￥0.5995
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4,550 | 对比 | ||||||||||
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BSS123 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 76 | 对比 | ||||||||||
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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