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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 56A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 8mΩ | |
| VGS(th) | 2.2 | |
| Ciss(pF) | 1229 | |
| Coss(pF) | 526 | |
| Crss(pF) | 83 | |
| Qg*(nC) | 12 | |
| Qgd(nC) | 5.5 | |
| Td(on)(ns) | 7 | |
| Td(off)(ns) | 24 | |
| Trr(ns) | 12.6 | |
| Qrr(nC) | 15.2 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AON6516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN5x6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT-8 |
￥2.475
|
2,991 | 对比 | ||||||||||||
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|
RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT-8 |
￥2.5681
|
2,775 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT-8 |
￥2.5681
|
104 | 对比 | ||||||||||||
|
CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥2.8788
|
35 | 对比 | ||||||||||||
|
DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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