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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TSOP-6 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| ESD Diode | Yes | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 栅极电压Vgs | 8V | |
| 连续漏极电流Id | -5.5A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 41mΩ@4.5V | |
| Rds On(Max)@2.5V | 53mΩ | |
| Rds On(Max)@1.8V | 65mΩ | |
| VGS(th) | -0.9 | |
| Ciss(pF) | 751 | |
| Coss(pF) | 115 | |
| Crss(pF) | 80 | |
| Qg*(nC) | 9.3 | |
| Qgd(nC) | 2.2 | |
| Td(on)(ns) | 13 | |
| Td(off)(ns) | 19 | |
| Trr(ns) | 26 | |
| Qrr(nC) | 51 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO6409A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
|
AO6409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 |
￥2.475
|
435 | 对比 | ||||||
|
RTQ035P02TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
AO6409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AO6409A_102 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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