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功率MOSFET   TO-252

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制造商编号 AOD11S60
制 造 商 AOS(美国万代)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-AOD11S60
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:30V 连续漏极电流Id:11A
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商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 TO-252
FET类型 N-Channel
ESD Diode No
Schottky Diode No
漏源极电压Vds 600V
栅极电压Vgs 30V
连续漏极电流Id 11A
Pd-功率耗散(Max) 208W
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V
VGS(th) 4.1
Ciss(pF) 545
Coss(pF) 37.3
Crss(pF) 1.42
Qg*(nC) 11*
Qgd(nC) 3.8
Td(on)(ns) 20
Td(off)(ns) 59
Trr(ns) 250
Qrr(nC) 3300
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库存 :  57

价格梯度 单价(含税)
7+ ¥8.052
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:2,500 
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交期: 3天-15天
起订量:7 倍数:1

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生产日期  :  5年内

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