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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-252 | |
FET类型 | N-Channel | |
ESD Diode | No | |
Schottky Diode | No | |
漏源极电压Vds | 600V | |
栅极电压Vgs | 30V | |
连续漏极电流Id | 4A | |
Pd-功率耗散(Max) | 56.8W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@10V | |
VGS(th) | 4.1 | |
Ciss(pF) | 263 | |
Coss(pF) | 21 | |
Crss(pF) | 0.75 | |
Qg*(nC) | 6* | |
Qgd(nC) | 1.8 | |
Td(on)(ns) | 18 | |
Td(off)(ns) | 40 | |
Trr(ns) | 177 | |
Qrr(nC) | 1500 |
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用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||
R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
¥4.7338
|
2,200 | 对比 | |||||||||||||||
STD9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
¥3.542
|
2,037 | 对比 | |||||||||||||||
R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
¥4.7338
|
1,699 | 对比 | |||||||||||||||
STD5NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||
IPD60R950C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD60R950C6ATMA1_PG-TO252-3 6.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |