| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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数据手册 |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55℃~175℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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数据手册 |
IPB042N10N3GATMA1_N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
PSMN4R8-100BSE_SOT404 N-Channel 405W 175℃ 3V 100V 120A |
￥27.5515
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50 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
PSMN4R4-80BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
4.7mΩ 100V D2PAK (TO-263) N-Channel 20V 180A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-263 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 105A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@20A,10V | |
| VGS(th) | 3.4 | |
| Ciss(pF) | 6775 | |
| Coss(pF) | 557 | |
| Crss(pF) | 32 | |
| Qg*(nC) | 90* | |
| Qgd(nC) | 13.5 | |
| Td(on)(ns) | 20 | |
| Td(off)(ns) | 48 | |
| Trr(ns) | 50 | |
| Qrr(nC) | 380 | |
| 工作温度 | -55℃~175℃ |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
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