参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 12A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 17mΩ | |
| VGS(th) | 2.3 | |
| Ciss(pF) | 542 | |
| Coss(pF) | 233 | |
| Crss(pF) | 31 | |
| Qg*(nC) | 4.3 | |
| Qgd(nC) | 1.7 | |
| Td(on)(ns) | 4 | |
| Td(off)(ns) | 18 | |
| Trr(ns) | 9.7 | |
| Qrr(nC) | 11.5 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：90 | 倍数：1 |
生产日期 : 19+
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| GP3139 | 93,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| S-LP80N04D2 | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4566 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V |
￥0.6028
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2,890 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.7156
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0 | 对比 | ||||||||||
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BSO110N03MS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSO110N03MSGXUMA1_30V 12.1A 11mΩ@12.1A,10V ±20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C SOIC-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF8714GTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 14A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8.7mΩ@14A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRF8714TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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