| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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数据手册 |
TO-252 N-Channel 20V ±12V 45A 100W 4.4mΩ@20A,4.5V -55℃~175℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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数据手册 |
±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
±12V 63W(Tc) -50°C~150°C(TJ) 4mΩ@21A,4.5V N-Channel 20V 100A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
-50°C~150°C(TJ) 100A 5.2mΩ 63W |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
N-Channel 20V 120A(Tc) ±20V 89W(Tc) 4mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 连续漏极电流Id | 45A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 100W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.4mΩ@20A,4.5V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 5.7mΩ | |
| VGS(th) | 1.6 | |
| Ciss(pF) | 3860 | |
| Coss(pF) | 740 | |
| Crss(pF) | 580 | |
| Qg*(nC) | 36 | |
| Qgd(nC) | 12 | |
| Td(on)(ns) | 7 | |
| Td(off)(ns) | 70 | |
| Trr(ns) | 17 | |
| Qrr(nC) | 36 | |
| 工作温度 | -55℃~175℃ |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
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