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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT23-3 | |
FET类型 | P-Channel | |
ESD Diode | No | |
Schottky Diode | No | |
漏源极电压Vds | -20V | |
栅极电压Vgs | 8V | |
连续漏极电流Id | -3A | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 80mΩ@4.5V | |
Rds On(Max)@2.5V | 100mΩ | |
Rds On(Max)@1.8V | 130mΩ | |
VGS(th) | -1 | |
Ciss(pF) | 560 | |
Coss(pF) | 80 | |
Crss(pF) | 70 | |
Qg*(nC) | 8.5 | |
Qgd(nC) | 2.1 | |
Td(on)(ns) | 7.2 | |
Td(off)(ns) | 53 | |
Trr(ns) | 37 | |
Qrr(nC) | 27 |
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用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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AO3413 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 |
暂无价格 | 46 | 当前型号 | |||||||||
PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV65XP_SOT23 |
¥0.4147
|
51,223 | 对比 | |||||||||
DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 42,000 | 对比 | |||||||||
DMP2160U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 42,000 | 对比 | |||||||||
DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | |||||||||
DMP2130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 18,000 | 对比 |