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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 150V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 19A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 83W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 100mΩ | |
| VGS(th) | 2.8 | |
| Ciss(pF) | 1165 | |
| Coss(pF) | 61.5 | |
| Crss(pF) | 2.5 | |
| Qg*(nC) | 7 | |
| Qgd(nC) | 1.2 | |
| Td(on)(ns) | 6.5 | |
| Td(off)(ns) | 23 | |
| Trr(ns) | 37 | |
| Qrr(nC) | 265 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD256 | AOS | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 150V 20V 19A 83W 85mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||
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AOD4454 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 150V 20V 20A 100W 94mΩ@10V |
￥3.267
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258 | 对比 | ||||||
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IRFR24N15DTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 95mΩ@14A,10V N-Channel 150V 24A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDD770N15A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
18A(Tc) ±20V 56.8W(Tc) 77m Ohms@12A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 18A 77 毫欧 @ 12A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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FDD770N15A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
18A(Tc) ±20V 56.8W(Tc) 77m Ohms@12A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 18A 77 毫欧 @ 12A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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IRFR24N15DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 95mΩ@14A,10V N-Channel 150V 24A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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