| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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数据手册 |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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数据手册 |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 142,000 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
±8V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V N-Channel 20V 2.8A(Ta) |
￥1.43
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6,101 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta) |
￥1.397
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5,668 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.2A(Ta) |
￥0.5731
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4,265 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT23-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 连续漏极电流Id | 3.8A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55mΩ@3.8A,10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 65mΩ | |
| Rds On(Max)@2.5V | 85mΩ | |
| VGS(th) | 1.5 | |
| Ciss(pF) | 235 | |
| Coss(pF) | 35 | |
| Crss(pF) | 18 | |
| Qg*(nC) | 4.7 | |
| Qgd(nC) | 1.6 | |
| Td(on)(ns) | 3.5 | |
| Td(off)(ns) | 17.5 | |
| Trr(ns) | 8.5 | |
| Qrr(nC) | 2.6 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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AO3424
严选库存：4363
AO3424
自营库存：0
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 405,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,055 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
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