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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | -30V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 连续漏极电流Id | -2.6A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 115mΩ@-2.6A,-10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 150mΩ | |
| Rds On(Max)@2.5V | 200mΩ | |
| VGS(th) | -1.4 | |
| Ciss(pF) | 260 | |
| Coss(pF) | 37 | |
| Crss(pF) | 20 | |
| Qg*(nC) | 2.8 | |
| Qgd(nC) | 1 Ohms | |
| Td(on)(ns) | 6 | |
| Td(off)(ns) | 20 | |
| Trr(ns) | 11.5 | |
| Qrr(nC) | 4.5 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55℃~150℃ |
￥0.6424
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335 | 当前型号 | ||||||||
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DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
￥0.4849
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3,506 | 对比 | ||||||||
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) |
￥1.551
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252 | 对比 | |||||||||
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RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AO3403L | AOS | 通用MOSFET |
2.6A(Ta) P-Channel ±12V 130 mΩ @ 2.6A,10V SOT-23-3 1.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
|
SSM3J306T(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 700mW(Ta) TSM 150°C(TJ) 30 V 2.4A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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