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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-263 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 140A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 268W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.2mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 3.8mΩ | |
| VGS(th) | 3.2 | |
| Ciss(pF) | 5650 | |
| Coss(pF) | 720 | |
| Crss(pF) | 20 | |
| Qg*(nC) | 65* | |
| Qgd(nC) | 7 | |
| Td(on)(ns) | 21 | |
| Td(off)(ns) | 36 | |
| Trr(ns) | 27 | |
| Qrr(nC) | 145 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：10 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOB266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V |
￥5.159
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314 | 当前型号 | ||||||||
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IPB90N06S4L04ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN004-60B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 60V 75A |
￥14.1332
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0 | 对比 | ||||||||
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AUIRFS3206 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 120A,210A 3mΩ 300W 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPB120N06S403ATMA2 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB120N06S4-03_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFS3206PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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