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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-252 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 100V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | 32A | |
Pd-功率耗散(Max) | 100W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 37mΩ@10A,10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 42mΩ | |
VGS(th) | 2.7 | |
Ciss(pF) | 1630 | |
Coss(pF) | 100 | |
Crss(pF) | 50 | |
Qg*(nC) | 18 | |
Qgd(nC) | 9 | |
Td(on)(ns) | 7 | |
Td(off)(ns) | 29 | |
Trr(ns) | 32 | |
Qrr(nC) | 200 | |
工作温度 | -55℃~175℃ |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:30 | 倍数:1 |
生产日期 : 2年内
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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AOD482 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥2.211
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3,117 | 当前型号 | |||||||||||||||||
FDD3860 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252AA |
暂无价格 | 67,500 | 对比 | |||||||||||||||||
RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
¥6.2382
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18,115 | 对比 | |||||||||||||||||
IRFR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
¥3.311
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11,640 | 对比 | |||||||||||||||||
IRFR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | |||||||||||||||||
BUK7240-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7240-100A_SOT428 |
¥7.9179
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0 | 对比 |