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通用MOSFET   SOT-23(TO-236AB) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 2.92mm 2.92*1.3*0.93mm

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制造商编号 NDS7002A
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A36-NDS7002A
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 60 V 2 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 300mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2Ω@500mA,10V
工作温度 -65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.28A
连续漏极电流Id 280mA(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
功率 300mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 280 mA
漏源极电压Vds 60V
Rds On(Max)@Id,Vgs 2 0hms
最小栅阈值电压 1V
栅极电压Vgs -20 V、+20 V
封装/外壳 SOT-23
晶体管配置
引脚数目 3
FET类型 增强
类别 小信号
功率 3/10W
长度 2.92mm
每片芯片元件数目 1 Ohms
高度 0.93mm
宽度 1.3mm
晶体管材料 Si
漏源极电压Vds 20 pF@ 25 V
最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
封装/外壳 2.92*1.3*0.93mm
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库存 :  3,300

价格梯度 单价(含税)
80+ ¥0.6391
200+ ¥0.52
1,500+ ¥0.4732

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3,000+ ¥0.442
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生产日期  :  2年内

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制造商编号 最近销量(PCS)
PXN012-60QLJ 21,000
CQD50N06 20,000
PMLL4148L,115 20,000
100N03A 12,500
LN2308LT1G 12,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS7002A ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23(TO-236AB) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 2.92mm 2.92*1.3*0.93mm

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
3,300 当前型号
DMN601K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.9mm

暂无价格 93,200 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.3263
1,500: ¥0.2355
3,000: ¥0.162
49,118 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 39,600 对比
DMN61D9U-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
500: ¥0.3692
2,500: ¥0.3406
5,000: ¥0.3185
9,150 对比
ZVN4106FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.76 

阶梯数 价格
30: ¥1.76
100: ¥1.353
750: ¥1.133
1,500: ¥1.0252
3,000: ¥0.9405
5,892 对比
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