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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | QFET® | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 590pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),38W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 63m Ohms@8.4A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 封装/外壳 | DPAK | |
| 连续漏极电流Id | 16.8A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 16.8A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 590pF @ 25V | |
| 功率 | 2.5W(Ta),38W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 63 毫欧 @ 8.4A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | D-Pak | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
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