参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | SuperMESH™ | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.8nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 311pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.6Ω@1.2A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DPAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 2.4A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量： 20 | 倍数：1 |
生产日期 : 5年内
具备高达150°C的工作温度，专为高温、高可靠性应用设计
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
卓越稳定性与长寿命，具备出色的耐冲击和抗振动能力，适用于苛刻的工作环境
2512封装，专为高电流、高功率应用设计，具备优异的电气性能和机械稳定性
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
￥2.761
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161 | 当前型号 | ||||||
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FCD3400N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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