| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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数据手册 |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
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数据手册 |
BUK7610-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 110A |
￥29.6007
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0 | 对比 | |||||||||
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数据手册 |
IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3 N-Channel 300W 2.7mΩ@100A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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数据手册 |
BUK969R3-100E_SOT404 N-Channel 263W 175℃ 1.7V 100V 100A |
￥11.9705
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0 | 对比 | |||||||||
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数据手册 |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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数据手册 |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | STripFET™ II | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 233nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5200pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 312W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.5m Ohms@60A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 110A |
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抗噪声 RS-485/RS-422 全双工/半双工收发器，能够运用在恶劣的工业环境中
高性能6轴运动跟踪IMU，集成了3轴MEMS陀螺仪和3轴MEMS加速度计
汽车级可编程霍尔效应数字传感器，专为严苛环境下的高性能应用设计
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 510,000 |
| LP2301LT1G | 393,000 |
| PJA3430_R1_00001 | 63,000 |
| CRSM013N06N4Z | 50,000 |
| AONR21357_203 | 30,000 |
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