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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 70W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@4A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 10A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
针对高电压、大功率应用场景设计，典型产品覆盖电压范围大于400V
先进G3 SiC技术，优异的开关性能与高温稳定性
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
小型动态无卤连接器，包含头部、插座和端子三类组件,符合多项国际标准
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD10NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A |
￥4.697
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2,671 | 当前型号 | ||||||||||
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IPD60R600C6ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD60R600C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD60R600C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD60R600C6ATMA1_63W 600mΩ 600V 7.3A DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD60R600C6BTMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FCD620N60ZF | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD80R600P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD80R600P7ATMA1_600mΩ 800V 8A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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