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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | STB | |
| 高度 | 4.6 mm | |
| 长度 | 10.4 mm | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 配置 | Single | |
| 下降时间 | 30 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 上升时间 | 220 ns | |
| 通道数量 | 1 Channel | |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns | |
| 正向跨导-最小值 | 20 S | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 66nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ@30A,10V | |
| 工作温度 | -65°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 60A |
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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PSMN015-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN015-60BS_SOT404 N-Channel 86W 175℃ 3V 60V 50A |
￥5.2387
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0 | 对比 | ||||||||
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IRF1010ES | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
12mΩ 60V D2PAK (TO-263) N-Channel 20V 83A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AUIRFS3806TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 43A(Tc) ±20V 71W(Tc) 15.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF1010ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@75A,10V N-Channel 55V 94A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFZ48VS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 72A(Tc) ±20V 150W(Tc) 12mΩ@43A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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