| 制造商编号 | IRFTS9342TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-IRFTS9342TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：2W(Ta) 工作温度：-55°C~150°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs：40mΩ@5.8A,10V FET类型：P-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 595pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 595pF @ 25V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@5.8A,10V | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 5.8A | |
| 封装/外壳 | 6-TSOP |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFTS9342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6-TSOP |
暂无价格 | 5 | 当前型号 | ||||||
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DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOT-26 |
暂无价格 | 45,000 | 对比 | ||||||
|
|
DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOT-26 |
￥0.9405
|
688 | 对比 | ||||||
|
RSQ035P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOT-26 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AO6403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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