| 制造商编号 | IRLMS6702TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-IRLMS6702TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single P-Channel 20 V 0.375 Ohm 8.8 nC 1.7 W Generation V SMT Mosfet - MICRO-6
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.8nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.8nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200mΩ@1.6A,4.5V | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 2.4A | |
| 封装/外壳 | Micro6™(TSOP-6) |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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