| 制造商编号 | BAT6404E6327HTSA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BAT 64-04 E6327 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BAT6404E6327HTSA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 整流二极管 | |
| 不同If时电压-正向(Vf) | 750mV @ 100mA | |
| 不同Vr时电流-反向泄漏 | 2uA @ 30V | |
| 二极管类型 | 肖特基 | |
| 二极管配置 | 1 对串联 | |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 工作温度-结 | 150°C(最大) | |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 40V | |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 120mA | |
| 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：90 | 倍数：1 |
生产日期 : 23+
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| BAV99W_R1_00001 | 162,000 |
| GS1010FLAU | 126,000 |
| M7 | 105,000 |
| FM407 | 90,000 |
| PMEG120G20ELRX | 30,633 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BAT6404E6327HTSA1 | Infineon | 数据手册 | 整流二极管 |
BAT 64-04 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.5984
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8,403 | 当前型号 | ||||||||||||
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BAS40-04,215 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
BAS40-04_SOT-23 |
￥0.5797
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80,748 | 对比 | ||||||||||||
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BAS40-04-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
SOT-23 |
￥0.7612
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28,571 | 对比 | ||||||||||||
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BAS40-04,215 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
BAS40-04_SOT-23 |
￥0.2869
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17,328 | 对比 | ||||||||||||
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BAS40-04W,115 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
BAS40-04W_SOT-323 |
￥0.231
|
7,488 | 对比 | ||||||||||||
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BAS40-04W,115 | Nexperia | 数据手册 | 肖特基(SBD)二极管 |
BAS40-04W_SOT-323 |
￥0.3328
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50 | 对比 |
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