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功率MOSFET   8-PowerTDFN

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制造商编号 BSC160N10NS3GATMA1
商品别名 BSC160N10NS3 G
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-BSC160N10NS3GATMA1
供货
无铅情况/RoHs
描述
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
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商品目录 功率MOSFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 8.8A(Ta),42A(Tc)
FET类型 N 通道
Vgs(最大值) ±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 16 毫欧 @ 33A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 33uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 50V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
封装/外壳 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V
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