| 制造商编号 | IPD60R280P7S |
|---|---|
| 商品别名 | IPD60R280P7SAUMA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-IPD60R280P7S |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Rds On(Max)@Id,Vgs：280mΩ 漏源极电压Vds：600V 连续漏极电流Id：12A 封装/外壳：DPAK (TO-252) FET类型：N-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 280mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 12A | |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | |
| Rth | 2.36K/W | |
| QG | 18.0nC | |
| Ptot max | 53.0W | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Qgd | 5.0nC | |
| Pin Count | 3.0Pins | |
| 工作温度 | -40°C~150°C | |
| RthJA max | 62.0K/W | |
| Mounting | SMT | |
| 栅极电压Vgs | 3V,4V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产日期 : 21+
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PXN012-60QLJ | 21,000 |
| CQD50N06 | 20,000 |
| PMLL4148L,115 | 20,000 |
| 100N03A | 12,500 |
| LN2308LT1G | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD60R280P7S | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPD60R280P7SAUMA1_DPAK(TO-252) |
￥4.235
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587 | 当前型号 | ||||||
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R6014YND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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