| 制造商编号 | SI4435DYTRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-SI4435DYTRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：2.5W(Ta) 工作温度：-55°C~150°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs：20mΩ@8A,10V FET类型：P-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2320pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2320pF @ 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@8A,10V | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 8A | |
| 封装/外壳 | 8-SO |
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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4435DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥1.177
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5,571 | 对比 | ||||||||||||
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AO4411 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥1.2821
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2,989 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥1.5385
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2,667 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO |
￥1.595
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm |
￥0.556
|
180 | 对比 |
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