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功率MOSFET   TO-220AB 10mm

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 IRFB3307ZPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-IRFB3307ZPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:120A Rds On(Max)@Id,Vgs:4.6mΩ
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V
封装/外壳 TO-220AB
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 75V
连续漏极电流Id 120A
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ
栅极电压Vgs 20V
Qg-栅极电荷 79nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 230W
高度 15.65mm
长度 10mm
FET类型 N-Channel
宽度 4.4mm
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库存 :  33

价格梯度 单价(含税)
8+ ¥6.556
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:1,000 
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交期: 3天-15天
起订量:8 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  20+

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

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8: ¥6.556
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阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥2.904
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