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功率MOSFET   TO-220AB

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制造商编号 IRFB3607PBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-IRFB3607PBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ@46A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel
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商品目录 功率MOSFET
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@46A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 80A
漏源极电压Vds 75V
封装/外壳 TO-220AB
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商品简介

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon

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Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

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Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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库存 :  94

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥2.145
50+ ¥1.65
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:1,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  22+

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