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小信号MOSFET   SOT-23

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制造商编号 DMN65D8L-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN65D8L-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.87nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 22pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3Ω@115mA,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 0.31A
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库存 :  33,990

价格梯度 单价(含税)
90+ ¥0.5874
200+ ¥0.2685
1,500+ ¥0.1665

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥0.1152
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:90 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  2年内

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
LBSS138LT1G 120,000
PJA3401-AU_R1_000A1 39,000
L2N7002DW1T1G 30,200
NX138AKR 30,000
PMV20ENR 12,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5874 

阶梯数 价格
90: ¥0.5874
200: ¥0.2685
1,500: ¥0.1665
3,000: ¥0.1152
33,990 当前型号
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
20,857 对比
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated 通用MOSFET

¥0.5642 

阶梯数 价格
90: ¥0.5642
500: ¥0.3757
5,000: ¥0.3276
9,850 对比
DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3263 

阶梯数 价格
160: ¥0.3263
500: ¥0.2505
5,000: ¥0.219
6,624 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.286
1,857 对比
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
609 对比
+1

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