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通用MOSFET   N-Channel 760mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

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制造商编号 DMN3053L-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN3053L-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
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N-Channel 760mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
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N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.397 

阶梯数 价格
40: ¥1.397
100: ¥1.111
750: ¥0.9944
1,500: ¥0.9372
3,000: ¥0.8888
5,668 对比
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N-Channel 760mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4236
1,500: ¥0.3674
3,000: ¥0.3253
5,352 对比
 数据手册

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.2573 

阶梯数 价格
40: ¥1.2573
100: ¥0.9999
750: ¥0.895
1,500: ¥0.8435
1,500 对比
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PMV37EN2_SOT23 N-Channel 0.51W 150℃ 1.5V,20V 30V 5.6A

暂无价格 26 对比
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N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 760mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 45mΩ@4A,10V
栅极电压Vgs ±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 676 pF @ 15 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 17.2 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 4A(Ta)
驱动电压 2.5V,10V
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