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功率MOSFET   10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel

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制造商编号 DMG4822SSD-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMG4822SSD-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel
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10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 19 当前型号
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SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.826
750: ¥1.628
1,500: ¥1.54
3,000: ¥1.463
3,144 对比
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SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V

¥1.0076 

阶梯数 价格
50: ¥1.0076
200: ¥0.7755
1,500: ¥0.6732
2,513 对比
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SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥3.2745 

阶梯数 价格
490: ¥3.2745
1,000: ¥2.5767
1,500: ¥2.0151
3,000: ¥1.5718
0 对比

8A(Ta) 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
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8A 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 10A
Pd-功率耗散(Max) 1.42W
Qg-栅极电荷 10.5nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 25V
上升时间 7.9ns
下降时间 3.1ns
典型关闭延迟时间 14.6ns
典型接通延迟时间 2.9ns
封装/外壳 SO-8
正向跨导 - 最小值 200mS
系列 DMG4822
通道数量 2Channel
配置 Dual
工作温度 -55°C~150°C
FET类型 N-Channel
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